MEMS 可调光衰减器（VOA）
欧亿光电(OE photonics)的MEMS可调光衰减器(VOA)使用微机电MEMS芯片驱动，利用静电驱动反射镜旋转，实现输入光连续的可调衰减，有亮态和暗态两种类型。 |
| 特征 | 应用 |
| 低插入损耗 | 光放大器（EDFA）中的功率控制 |
| 高衰减量，连续可调 | 波分复用器(WDM)和配置网络中的功率控制 |
| 重复性高、寿命长 | |
| 尺寸小 | |
| 符合 GR-1209 与GR-1221 标准 |
主要规格
| 参数 | 单位 | 单模 | 多模 |
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衰减类型 |
nm |
亮态或暗态 |
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波长 |
nm |
O /C /L 波段或1250-1650 |
850±30nm 1310±30nm |
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衰减范围 |
dB |
≥40/45 |
≥30 |
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插入损耗（IL） |
dB |
≤0.6 |
≤0.6 |
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回波损耗 |
dB |
≥50 |
≥30 |
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重复性 |
dB |
≤0.03dB@ATT≤20dB |
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PDL1 |
dB |
≤0.2@ 10dB |
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PDL2 |
dB |
≤0.5@ 20dB |
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工作温度 |
℃ |
-5~70 |
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存储温度 |
℃ |
-40~85 |
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开关速度 |
ms |
≤3 |
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寿命 |
Cycle |
≥1x109 |
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最大光功率 |
mW |
≤500 |
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驱动电压 |
V |
0~7V |
0~9V |
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注: 1. 以上测试损耗(IL)是基于中心波长±30nm，23℃下测试的结果，要求多波段增加0.2dB。 2. 重复性数据是基于100 cycle重复测试的结果。 3. 不含连接头，包含连接头插损增加0.2dB。 |
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结构尺寸
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(Units: mm)
